Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This study investigates the performance of impact ionization (ii) enhanced thin film c-si solar cells using technology computer aided design (tcad) simulations. The effect of ii concerning the electrical and optical properties of the c-si solar cell is carried out. We introduce p+ pocket with a high doping density of the magnitude > 1018 cm−3 to increase the electric field near the junction to...
The effect of Impact Ionization (II) on thin film c-Si solar cells is modeled and investigated by TCAD simulation. The doping concentration of absorber layer is varied to see the effect of Impact Ionization (II) on c-Si solar cell by increasing the electric field. The results show that, II can increase the short circuit current (Jsc). Namely we show a 2mA/cm2 increase in Jsc by increasing the doping...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.