Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A simplified simulation approach has been introduced for gated field emitters. F-N equation fitted with experimental field emission characteristic is used to calculate the characteristics of a double-gated field emitters. By assuming the cathode is a flat thin film, the anode current and gate current are simulated. The validity of the simulation is evaluated by experimental results.
A high brightness flat panel lighting element with a triode structure had been fabricated using carbon nanotube cold cathode. The maximum luminance of 110,000 cd/m2 in green was observed at the anode voltage of 10 kV and the cathode current density of 200 muA/cm2, and the stable luminance of 60,000 cd/m2 were also achieved
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.