Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In article number 1604306, Shibing Long, Ming Liu and co‐workers, review performance improvements in resistive switching devices. The main focus is on filamentary switching behavior, in the aspects of materials modulation, device structure design and switching operation scheme optimization. In particular, 2D nanomaterials that play active roles and exhibit prominent effects in applications are discussed...
Reversible chemical and structural changes induced by ionic motion and reaction in response to electrical stimuli leads to resistive switching effects in metal‐insulator‐metal structures. Filamentary switching based on the formation and rupture of nanoscale conductive filament has been applied in non‐volatile memory and volatile selector devices with low power consumption and fast switching speeds...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.