Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report the first investigation of the effect of strain on NBTI of Germanium (Ge) p-channel Field Effect Transistors (p-FETs) with high-κ gate dielectric. In this study, a mechanical wafer bending tool was used to alter strain in the Ge channel. It is found that higher longitudinal tensile strain in the channel of Ge p-FETs leads to worse NBTI performance. By reducing the tensile strain in the longitudinal...
The negative bias temperature instability (NBTI) characteristics of p-channel field-effect transistors with diamond-like carbon (DLC) liner stressor having ultra-high compressive stress (>5 GPa) are investigated for the first time. Ultra-Fast Measurement (UFM) was employed for NBTI study. Power law slopes ranging from ~0.057 to ~0.070 are reported in this work. P-FETs with higher channel strain...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.