Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The anodic film studied was formed on Pb + 9at.%Bi at 0.9 V (vs. HgHg 2 SO 4 ) in 4.5 M H 2 SO 4 solution (25°C). The change of the phase composition of the anodic film during reduction at -0.91 V (vs. HgHg 2 SO 4 ) (slightly more positive than that of the reduction potential of PbSO 4 ) was determined by X-ray diffraction (XRD). The experimental...
The semiconducting properties of the anodic film formed on Pb in 0.1 M NaOH solution (60°C) at 0.2 V (vs. HgHgO) have been investigated by the ac impedance and photocurrent methods at room temperature. The Mott-Schottky plots show that the anodic film is an n-type semiconductor. Values of flatband potential for the anodic film anodized for 0.5 and 1.0 h are -0.79 and -0.78 V (vs.HgHgO ), and the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.