Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents the characterization and design of a static random access memory (SRAM) cell at nanoscale ranges. The proposed SRAM cell incorporates a single-electron (SE) turnstile and an SE transistor/MOS circuit in its operation, hence the hybrid nature. Differently from previous cells, the hybrid circuit is utilized to sense (measure) on a voltage basis the presence of at least an electron...
This paper presents the characterization and design of a Static Random Access Memory (SRAM) cell at nano scale ranges. The proposed SRAM cell incorporates a Single-Electron (SE) turnstile and a Single-Electron Transistor (SET)/MOS circuit in its operation, hence its hybrid nature. Differently from previous cells, the hybrid circuit is utilized to sense (measure) on a voltage-basis the presence of...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.