Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work, without employing any IPL, excellent electrical performances for the Ge MOS devices, i.e. MOSCAPs and MOSFETs, have been demonstrated using ultra high vacuum (UHV) deposited Ga2O3(Gd2O3) [GGO] directly on Ge (100) with the incorporation of fluorine. The GGO/Ge interface is atomically abrupt with negligible Ge inter-diffusion and highly thermodynamically stable withstanding high temperature...
Ultra-high vacuum (UHV)-deposited high Ga2O3(Gd2O3) was proved to passivate Ge effectively, as evidenced by comprehensive investigations including structural, chemical, and electrical analyses. The Ga2O3(Gd2O3)/Ge interface is revealed to be abrupt even being subjected to a 500degC anneal, a high kappa value of 14.5, a low leakage current density of ~10-9 A/cm2 with a Fowler-Nordheim tunneling behavior,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.