Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Based on the burning mechanism of the device, novel clipper circuit is introduced to the design of LNA. The clipping diodes were placed in parallel with the gate of transistor, and absorbed into the input matching circuit of LNA. Finally, the influence of the characteristic impedance of series microstrip in input matching circuit on the anti-burnout performance of LNA is discussed. The results of...
A compact reliability model is reported, which includes both the channel hot carrier (CHC) and the negative bias thermal instability (NBTI) effects in p-MOSFETs. The developed compact NBTI model, which describes both interface-state generation and hole-trapping mechanisms, is further improved by considering additionally the impact of the drain bias Vds. With increased Vds, the NBTI effect is weakened...
A 32 nm logic technology for high performance microprocessors is described. 2nd generation high-k + metal gate transistors provide record drive currents at the tightest gate pitch reported for any 32 nm or 28 nm logic technology. NMOS drive currents are 1.62 mA/um Idsat and 0.231 mA/um Idlin at 1.0 V and 100 nA/um Ioff. PMOS drive currents are 1.37 mA/um Idsat and 0.240 mA/um Idlin at 1.0 V and 100...
A leading edge 45 nm CMOS system-on-chip (SOC) technology using Hafnium-based high-k/metal gate transistors has been optimized for low power products. PMOS/NMOS logic transistor drive currents of 0.86/1.08 mA/um, respectively, have been achieved at 1.1 V and off-state leakage of 1 nA/um. Record RF performance for a mainstream 45 nm bulk CMOS technology has been achieved with measured fT/fMAX values...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.