Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A physical model for the AC I–V characteristics of high voltage MOS based power devices is presented here. A closed form expression is derived to predict the AC I–V characteristics based on the knowledge of widely used C-V measurement method used to characterize MOS interfaces. This model is then used to compare commercial Si and SiC high voltage power MOSFETs.
We demonstrated the operation of GaN-on-Si metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) for power electronics components. The interface states at SiO 2 /GaN were successfully improved by annealing at 800°C for 30min in N 2 ambient. The interface state density was less than 1×10 11 cm –2 eV −1 at E c −0.4eV. The n + contact layers...
A fully-integrated silicon-based thermal ink jet printhead which produces high speed, laser-quality printing at 300 spots per inch resolution is described. Monolithic integration of the 5-V logic circuitry, 13-V predriver circuitry, 40-V MOSFETs, and 192 n+ polysilicon heater elements requires multiple process and device design trade-offs. The TIJ printhead is customer replaceable and must be protected...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.