Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
With silicon carbide (SiC) MOSFETs becoming commercial available, high switching frequency is a prevailing trend to increase the power density and efficiency in power converters. Nevertheless, the device performance is critically determined by the values of parasitic inductances, where negative effects such as switching oscillations are usually presented. It is more likely troublesome for power modules...
SiC MOSFETs are known to provide a better performance compared to Si IGBTs. However, they can also introduce undesirable behaviors like switching oscillations due to the existence of parasitic elements. In this paper, we introduce the turn-on and turn-off switching equivalent circuit models and validate these models with commercially available SiC MOSFETs. Based on the models, theoretical analysis...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.