Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, a variation-aware simulation framework is introduced for hybrid circuits comprising MOS transistors and spintronic devices (e.g., magnetic tunnel junction-MTJ). The simulation framework is based on one-time characterization via micromagnetic multi-domain simulations, as opposed to most of existing frameworks based on single-domain analysis. As further distinctive capability, stochastic...
This paper investigates the impact of voltage scaling on energy and performance of STT-MRAM arrays under write access, which is well known to be energy critical. Simple analytical models of energy and delay are introduced to gain an insight into the energy-performance tradeoff at low voltages, and minimum-energy operation. The minimum-energy point is found to lie at voltages that are substantially...
In this paper we show that the area optimization of STT-MRAM bitcells can deliver a substantial reduction in the energy per write access when dynamic voltage scaling (DVS) is adopted. Indeed, the increase in the bitcell area enables the reduction in the write energy consumed by the bitcells at the expense of the energy of peripheral circuits, when lowering the supply voltage. The proposed approach...
Read access in STT-MRAMs is well known to be highly sensitive to process variations. Such variations are responsible for read bit error rates that are worse than conventional CMOS memories (e.g., SRAM) by orders of magnitude, especially at low voltages. In this work we propose a boosted sensing scheme to improve the resiliency of STT-MRAM against variations in read accesses based on the voltage sensing...
This paper investigates the impact of voltage scaling on the energy and the performance of STT-RAM bitcells during write operation. Analytical models of energy scaling and performance degradation are derived to gain an insight into the energy-performance tradeoff at low voltages. Minimum-energy operation is explored through optimization of the supply voltage, with energy savings in the order of 20%...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.