Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We demonstrated a monolithic InP-based high-power high-speed waveguide integrated modified UTC photodetector. The chip delivers maximum RF output power levels of 8.9dBm to 5.1dBm in the frequency range between 60GHz and 120GHz.
Back-illuminated flip-chip-bonded charge-compensated modified uni-traveling-carrier photodiodes (PDs) with bandwidths in excess of 110 GHz are demonstrated. PDs with 10- and 6-μm-diameters deliver RF output power levels as high as 9.6 dBm at 100 GHz and 7.8 dBm at 110 GHz, respectively. An analytical model based on parameter extraction from S-parameter fitting was used to assess the bandwidth limiting...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.