Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A transverse Electromagnetic Horn Antenna is monolithically integrated with a low-temperature-grown GaAs vertical photoconductor on a silicon substrate forming a vertically integrated photomixer. Continuous-wave terahertz radiation is generated at frequencies up to 3.5 THz with a power level reaching 20 nW around 3 THz.
We have developed an epitaxial layer transfer technique for THz devices. Here we report the fabrication and the characterization of a THz photomixer on a silicon substrate. The active part of the photomixer is a low-temperature-grown GaAs mesa which has been transferred and layer bonded onto a Si substrate. The preliminary measurement of the THz signal generated in a photomixing configuration at 0...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.