Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A production ready pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) using i-line 0.25 mum optical gate lithography has been developed for both Ka- and Ku-band power applications. These 0.25 mum Ka- and Ku-version pHEMT devices demonstrate state-of-the-art power performance at 29 and 10 GHz, respectively. Excellent reliability has been achieved at channel temperature exceeding 275degC. Yield...
The gate geometry of PHEMT determines the upper limit in microwave and millimeter-wave frequencies at which the transistor can be optimally useful as amplifiers. In addition to production of 0.5 mum and 0.15 mum feature gate length PHEMT on 150 mm GaAs wafer substrate, WIN has recently developed the 0.25 mum variety targeting mmic solutions covering from below X-band to frequency as high as 60 GHz...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.