Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Due to the increasing interest on laterally diffused MOS (LDMOS) transistors as a part of power electronics in the high energy physics (HEP) experiments, the effect of total ionising dose (TID) on their electrical performances has been experimentally measured. The analysis of the experimental results requires the aid of physics-based simulations to study the impact of TID effects on the LDMOS drift...
The investigation of the Total Ionising Dose (TID) impact on the electrical characteristics of Lateral Diffused MOS transistors (LDMOS) requires the performance of a large number of complex and costly irradiation experiments. The development of a suitable simulation procedure would be of major interest in order to reduce the effort in time and cost. This paper describes a simulation methodology for...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.