Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper reports experimental zero voltage switching (ZVS) characteristics of the state-of-the-art 12 kV SiC N-IGBTs with 2 μm and 5 μm field-stop buffer layer thicknesses. Extensive results up to 7 kV and 150°C are presented for both IGBTs with and without an external snubber capacitor. The 12 kV SiC IGBTs have been found to have significantly larger magnitude of turn-off current bump in comparison...
In this paper, a comparative study of 1200V Silicon IGBTs with Silicon Carbide (SiC) MOSFETs is presented for a 6kVA single-phase 230V online Uninterruptible Power Supply (UPS) system. The UPS is first tested with the 1200V silicon IGBT/Diode devices (2 parallel 34A IGBT/diode) and then the inverter devices are replaced by next generation SiC 1200V MOSFET/Diode devices (2 parallel 20A MOSFET/10A Diode...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.