Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
CMOS-compatible GaN-on-silicon technology with excellent D-mode MISHFET performance is realized. A low specific contact resistance Rc (0.35 Ω-mm) is achieved by Au-free process. MIS-HFET with a gate-drain distance (LGD) of 15 μm exhibits a large breakdown voltage (BV) (980 V with grounded substrate) and a low specific on-resistance (R ON,sp) (1.45 mΩ-cm2). The importance of epitaxial quality in a...
Normally-off operation AlGaN/GaN high electron mobility transistors have been developed utilising a fluorine-based treatment technique combined with a metal-oxide-semiconductor gate architecture. Threshold voltage as high as 5.1 V was achieved by using an 16 nm-thick Al2O3 gate oxide film. Additionally, the device performed a drain current density of 500 mA/mm and a peak transconductance of 100 mS/mm,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.