Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In Micro and Nano Technology, the downscaling of semiconductor devices requires the usage of alternative semiconductor material for SiO2 as the gate dielectric. It requires new structure so that the higher current can be achieved. In view of this, in the present paper a structure of double-gate MOSFET with HfO2 has been analysed. This paper includes an effect of threshold voltage on symmetric double-gate...
In this paper, we have discussed the use of hafnium and its oxide in the designing of a MOSFET in place of silicon and its oxide. The performance of HfO2 for the MOSFET such as oxide capacitance per unit area, threshold voltage, mobility of carriers, drain current, body biasing effect, resistance, capacitance, figure of merit, CMOS switching characteristics with the rise time, fall time, maximum signal...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.