Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper explains the importance of low inductive busbar for utilizing the fast switching feature of SiC modules. A 3D FEM model of the busbar is built using Ansys Q3D extractor. The simulation results give insight into the physical behaviour of the current flow which aids in the identification of the parts of the structure that must be considered coplanar. The simulated busbar inductance is compared...
In this paper, the switching performance of a six-pack SiC MOSFET module (CCS050M12CM2) is investigated experimentally using a standard double pulse test method. The upper three and the lower three MOSFETs of the CCS050M12CM2 are paralleled forming a half-bridge configuration. Moreover, the performance comparison of the CCS050M12CM2 is carried out with a pin to pin compatible Si IGBT module (FS75R12KT4_B15)...
In this paper, the impact of using parallel SiC MOSFETs as the switching device is investigated. Measurement considerations for a double pulse test are discussed, and the influence of the load inductor characteristic and the voltage measurement technique on the measurement results is demonstrated. It is shown that the inductor load can produce high frequency oscillations of up to 10 % of the load...
We demonstrate the use of torsion in nanorelays to achieve low voltages, high speeds, single lithography step construction, and a form useful for configurability and electronic design enhancements in three-dimensional integrated implementations. The combined bending and torsion of self-aligned nanopillars facilitates the first top-down fabricated vertical three terminal nanoscale relay. Experimental...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.