Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Silicon die stacking with low-volume interconnections is an attractive method for 3D integration. It offers such benefits as extension to fine-pitch integration, increased vertical heat transfer and hierarchy for repeated thermal processes without re-melting. The process uses low-volume solder to form joints of few microns high. The low-volume solder mostly forms intermetallic compounds with underlying...
We study the enhanced light emission from a silicon slab with a photonic crystal nanocavity. We find that phonon accumulation in the tiny space is a key for enhanced light emission in addition to the cavity effect for photons.
The D-source, which ensures beam current increase in the LEX series, SEN's high current batch-type implanter, has been developed for productivity improvement or COO reduction. The D-source can achieve beam current increase dramatically only by replacing the original source. Moreover, the D-source has longer source life time with easier maintenance. Performance of the D-source was reported in this...
We propose a novel technique of "Luminoscopy" in which the deficiencies in the cells and modules can be clearly detected by photographic surveying of electroluminescence (EL) without any probing tools. Under the forward bias condition, the cell emits infrared light (lambda=1100 to 1200 nm), whose intensity reflects the number of minority carriers in p-type layer. The EL intensity distribution...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.