Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Effects of electro-less Ni layer as barrier/seed layers were evaluated for high reliable and low cost Cu TSVs. To electrically characterize the effectiveness of a Ni layer as barrier/seed layers for TSV application, we fabricated the trench MOS capacitor with 5µm dia. and 50µm depth TSV array. Via holes were successfully filled by Cu electro-plating by using Ni seed layer. To characterize the blocking...
The influence of Cu contamination from Cu through-silicon via (TSV) on device reliability in the 3-D LSI was electrically evaluated by capacitance-time (C-t) measurement. The Cu/Ta gate trench capacitors with two types of Ta barrier layers of 10-nm and 100-nm thicknesses (at the surface) were fabricated. The C-t curves of the trench capacitors with 10-nm thick Ta layer were severely degraded even...
High density through silicon via (TSV) is a key in fabricating three-dimensional (3-D) large-scale integration (LSI). We have developed polycrystalline silicon (poly-Si) TSV technology and tungsten (W)/poly-Si TSV technology for 3-D integration. In the poly-Si TSV formation, low-pressure chemical vapor deposition poly-Si heavily doped with phosphorus was conformally deposited into the narrow and deep...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.