Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Through a combination of measurement techniques, we study the interface properties of In0.65Ga0.35As transistor with ALD deposited Al2O3 gate dielectric. We show that the interface trap density at In0.65Ga0.35As/Al2O3 interface can be relatively high, but the transistor still exhibits inversion characteristics. A detailed profiling of the interface traps shows that majority of the interface traps...
In this paper, high-performance inversion-type E-mode In0.53Ga0.47As and In0.65Ga0.35As MOSFETs with ALD Al2O3 as gate dielectric is demonstrated and systematically studied their subthreshold or weak inversion characteristics. Much more works are needed to make this novel device structure a competitive technology for ultimate CMOS at 22 nm node or beyond. The work is supported by National Science...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.