Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We demonstrate a 4 mum silicon microdisk modulator with a reverse-biased, vertical p-n junction. The modulator demonstrates a power consumption of 85 fJ/bit at a data rate of 10 Gb/s, 3.5 V drive, BER<10-12, and without signal pre-emphasis. High-speed silicon bandpass switches are constructed from pairs of modulators.
We demonstrate a 4 mum silicon microdisk modulator with a power consumption of 85 fJ/bit. The modulator utilizes a reverse-biased, vertical p-n junction to achieve 10 Gb/s data transmission with 3.5 V drive voltage, BER<10-12, and without signal pre-emphasis. High-speed silicon bandpass switches are constructed from pairs of modulators.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.