Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Using a dedicated test vehicle (low-k planar capacitor) for studying the intrinsic properties of low-k materials and using standard single damascene 50 and 90 nm ½pitch test vehicles, differences in reliability behavior between intrinsic and integrated SiOCH porous low-k materials were investigated. The studied parameters were leakage current, breakdown field, distributional shape of failure times...
The field and temperature dependence of the leakage current of low-k material is studied by using planar capacitors. First it is shown that our planar capacitors are suitable test vehicles to analyze the intrinsic properties of low-k materials. Then an evaluation of the trap density of the investigated low-k material is performed. Eventually different models such as Poole-Frenkel emission, Schottky...
The stress of Cu interconnects embedded in advanced ultra-low-k (ULK) dielectrics was studied for different porosities. Interconnects formed a high porosity material result in a lower stress due to relaxation in the plane. This effect is less significant for narrow lines, where in-plane relaxation is reduced by the dense narrow spacing. The stress in isolated lines was found to be independent of dielectric...
A novel test structure to study intrinsic reliability of barrier/low-k is proposed. The structure is based on a planar capacitor design where low-k film is deposited after the patterning of the capacitor, followed by metallization and Cu CMP. This so called low-k planar capacitor structure provides several unique capabilities to study various aspects of barrier/low-k TDDB compared with the conventional...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.