Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper discusses a role of the oxygen vacancy in HfO2/ultra-thin (UT) interfacial layer (IL) SiO2 gate stacks, focusing on the VFB roll-off. The metal/top-SiO2/HfO2/UT IL-SiO2/Si gate stacks have been studied. It is found for the first time that the VFB roll-off is eliminated by inserting 1~2 nm top-SiO2 between metal gate and HfO2. This elimination of the VFB roll-off is explained by compensating...
We show that the mobility degradation at low fields is predominantly due to a dipole layer intrinsically formed at the HfO2/SiO2 interface. This dipole layer is also responsible for the anomalousVFB (VTH) shift in high-k MOSFETs. Contribution of remote phonon scattering to the mobility degradation is very little, as revealed by comparing the mobility behaviors for MOSFETs with different crystal symmetry...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.