Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A new model to understand the origin of the dipole formed at high-k/SiO2 interface is presented. In our model, the areal density difference of oxygen atoms at high-k/SiO2 interface is considered as the cause of the dipole. On the basis of our model it is possible to predict the dipole direction and its magnitude for the candidate gate dielectrics, including ones so far not experimentally reported...
Reliabilities of high-k stacked gate dielectrics are discussed from the viewpoint of the impact of initial traps in high-k layer. TDDB reliability can be explained by the generated subordinate carrier injection (GSCI) model. While initial traps increase the leakage current, they do not degrade the TDDB reliability. In contrast, the BTI reliability is strongly degraded by initial traps.
This paper discusses a role of the oxygen vacancy in HfO2/ultra-thin (UT) interfacial layer (IL) SiO2 gate stacks, focusing on the VFB roll-off. The metal/top-SiO2/HfO2/UT IL-SiO2/Si gate stacks have been studied. It is found for the first time that the VFB roll-off is eliminated by inserting 1~2 nm top-SiO2 between metal gate and HfO2. This elimination of the VFB roll-off is explained by compensating...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.