Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present a 1.65 μm GaSb/AlGaSb quantum-well (QW) laser operating at room temperature, grown buffer-free on a GaAs substrate. The enabling technology in this device is a layer of interfacial misfit dislocations (IMF) that completely relieve the strain between the GaAs substrate and the GaSb epi-layer without the use of thick metamorphic buffers. The IMF array is localized to the GaAs/GaSb interface,...
Buffer-free growth of GaSb on GaAs using interfacial misfit (IMF) layers may significantly improve the performance of antimonide-based emitters operating between 1.6 and 3 mum by integrating III-As and III-Sb materials. Using the IMF, we are able to demonstrate a GaSb-AlGaSb quantum-well laser grown on a GaAs substrate and emitting at 1.65 mum, the longest known operating wavelength for this type...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.