Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A comparison of the radiation tolerances of MOCVD-grown GaAs/GaAs cells and GaAs/Ge cells was undertaken using 1 MeV electrons. The electron radiation was delivered in doses of 1*10/sup 16/ cm/sup -2/ up to a total dose of 1*10/sup 17/ cm/sup -2/ for GaAs/GaAs and a total dose of 7*10/sup 16/ cm/sup -2/ for GaAs/Ge. Following each dose, the cells were annealed at either 250 degrees C or 300 degrees...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.