Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Since the traditional half-bridge modular multilevel converter (HB-MMC) is endangered under DC side short-circuit faults. This paper proposes a novel sub-module (SM) topology for MMC with DC fault limitation capability. The fault current is fully transferred to the bypass thyristor by turning off all IGBTs when DC short-circuit fault occurs, then the diode freewheeling effect is eliminated and all...
This paper proposes an enhanced modular multilevel converter based battery energy storage system (EMMC-BESS) for interfacing low voltage batteries to the medium or high voltage grids. Besides the distributed battery integration functionalities and the inherited advantages of traditional MMCs, EMMC-BESS also provides the DC fault handling capability. Based on analysis of operation principles, the control...
Modular multilevel converter (MMC) is one of the promising voltage source converter topologies in the field of high voltage direct current (HVDC) transmission system. Based on analysis of the existing sub-module topologies, an improved half-bridge sub-module topology based on reverse blocking IGBTs (RB-HBSM) was proposed for solving the fault ride through issues. In this paper, the fault current blocking...
A suitable for high frequency applications with gallium nitride high-electron-mobility transistor overcurrent protection (OCP) circuit has been put forward. The proposed circuit depends on the detection of the drain-source voltage of GaN HEMT to judge the overcurrent fault, then turn off the GaN HEMT rapidly and send a fault signal to the microprocessor in the switching period which the overcurrent...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.