Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, the Bi-11Ag solders with additions of 1wt.%, 3wt.%, and 5wt.% Sn are prepared to investigate the microstructure, melting characteristic, and tensile strength of the solder joint. The result shows that the melting temperature decreases to 154 °C as the Sn continuously added; the microstructure was refined when the addition of Sn was below 5wt.%, as it reach 5wt.% or more, the dendritic...
In this paper, the equivalent circuit model of a pair of TSVs in a passive interposer base is developed, with the nonlinear MOS capacitance effect treated appropriately. Based on the circuit model, the transient analysis of the interposer TSVs is carried out. The results would be helpful for the design and practical applications of interposer-based 2.5-D IC systems.
An electrically tunable band-pass filter based on engineered substrate with patterned Permalloy (Py) thin film has been designed and characterized. The band-pass filter is designed with metamaterial resonators to achive a compact size; the designed filter is fabricated on a multi-layered engineered substrate which composes a layer of liquid crystal polymer, a layer of patterned Py thin film, and silicon...
Spin caloritronics, exploiting the interaction between spin with heat currents, offers a promising path to further reduction in both the size and power consumption of solid state devices. Despite recent observations of spin dependent thermal transport by several groups, the underlying physical mechanism remains unsettled.1–3 Our study has demonstrated the profound effect of substrate on the spin-dependent...
A novel partial silicon-on-insulator (PSOI) high-voltage LDMOS is proposed and its breakdown mechanism is investigated numerically and experimentally. The PSOI LDMOS features double-sided charge trenches on the top and bottom interfaces of the buried oxide (BOX) (DTPSOI). In high-voltage blocking state, the charges located in the trenches enhance the electric field strength in the BOX, and a Si window...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.