Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The effect of NH3 annealing on the chemical properties and thermal stability of ultrathin HfO2/Al2O3 film grown on silicon substrate by atomic layer deposition are investigated as a function of post deposition annealing temperature. X-ray photoelectron spectroscopy shows that nitrogen incorporation can be approached by a NH3 annealing treatment and its composition evidently increases after annealing...
HfO 2 /Al 2 O 3 stacks are grown on Si (100) substrate by atomic layer deposition and then nitridized using ammonia (NH 3 ) annealing in the temperature range of 600–900°C. The effects of NH 3 annealing temperature on the structural and physical properties are investigated. HfO 2 phase changes from monoclinic to orthorhombic with the annealing treatment...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.