Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Ceramic based Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 materials were prepared by solid-state reaction. Studies on microwave dielectric parameters in correlation with structural and Raman investigations were performed. Sintering temperatures higher than 1600degC are required in order to obtain dielectric properties suitable for millimeter wave applications.
The paper describes the investigations of Ba1-xSrx TiO3 ceramic materials prepared by solid-state reaction techniques. The addition of MgO and MnO2 improves sintering process and decreases the dielectric loss. The materials exhibit a dielectric constant epsivr~1000 and low loss tandelta~1O -3 at microwave frequencies
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.