Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report on 2D simulations of dark current for InP/InGaAs/InP p-i-n photodiode by Sentaurus DEVICE. Our simulation result is in good agreement with experiment indicating that generation-recombination is the dominant source of dark current at low bias. Effects of absorption layer thicknesses and doping concentrations on dark current are investigated in detail.
In order to better understand the differences between lasers with GaAs and GaAsN barriers, this paper has experimentally compared their basic performance characteristics, including threshold currents and spectral gain characteristics. The laser with GaAsN barriers has a reduced N-content in the quantum well to achieve almost identical emission wavelengths. Otherwise the laser structures are the same...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.