Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We demonstrate that photoluminescence and terahertz intensities show complementing trends for staggered InGaN quantum wells (QWs), dictated by separation of electrons and holes.
We have investigated photoluminescence (PL) and terahertz (THz) generation simultaneously from multiple InGaN/GaN quantum wells (QWs) with different well periods. The PL intensity fully saturates when the period of QWs is increased up to 4. However, THz output power continuously scales up even if the period of QWs is increased up to 16. Such a behavior indicates that high-power THz wave can be generated...
We demonstrate that as the period of multiple InGaN/GaN quantum wells is increased from 1 to 16, photoluminescence intensity exhibits strong saturation whereas output power of broadband THz pulses is scaled up superlinearly.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.