Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A new method to introduce a phase shift equivalent pi /2 by inversion of the refractive index difference, which can be carried out easily by conventional photolithography, is proposed and applied to a 1.5 mu m GaInAsP/InP DFB laser. The lambda /4-shifted effect was confirmed by observing the lasing spectrum of an antireflection-coated DFB laser below threshold under CW operation.<<ETX>>
A 1.5 mu m-wavelength dynamic-single-mode laser with high-low reflection grating structure aiming at high output and uni-directional output operation has been obtained for the first time using a selective etching process and low-pressure MOVPE regrowth. A front/rear output power ratio exceeding 50 and side-mode suppression ratio (SMSR) greater than 39 dB were obtained at 1.3 times the threshold.<<ETX>>
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.