Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An injection-type distributed-feedback laser, with wirelike active regions, directly bonded on a silicon-on-insulator substrate, was realized. A low threshold current Ith of 104 mA was obtained at a stripe width of 25 mum and a cavity length of 1 mm. A sidemode suppression ratio of 28 dB was obtained at 1.3 Ith.
1540 nm wavelength GaInAsP/InP quantum-wire (24 nm wide) distributed feedback lasers were realized by dry etching and regrowth method. A threshold current as low as 2.7 mA, a differential quantum efficiency of 19 %/facet and an SMSR of 51 dB (@ 2Ith) were attained under RT-CW condition for the stripe width of 3.0 mum and the cavity length of 330 mum
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.