Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we study in detail the stability metrics of emerging RRAM based non-volatile SRAM (NVSRAM) architectures (4T-2R in particular). Cell stability is analyzed using parameters obtained from N-curves (WTV, WTI, SVNM, SINM), and SNM curves as defined by Seevinck [1]. Comparative analysis of all stability metrics of the 4T-2R NVSRAM architecture (90 nm CMOS, 3nm HfOx stack) with an optimized...
In this paper, we present an OxRAM based compact 4T-2R NVSRAM design with a novel efficient programming scheme to achieve low-power and low area footprint. 3 nm thick HfOx based OxRAM devices and 90 nm CMOS technology node were used for all simulations. Our proposed 4T-2R NVSRAM is programmed using a two cycle write process and is implemented for real-time non-volatility rather than last-bit, or power-down...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.