Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This work presents a 5-GHz power amplifier (PA) based on a tsmc™ 0.35-µm SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) process. The PA adopts an on-chip linearizer as a feedforward element that cancels third-order distortion at the PA output. The PA achieves an output 1-dB compression point (OP1dB) of 27 dBm, a power gain of 21.9 dB, and a power added efficiency of 31 %. Compared to a PA without a...
This paper proposes a 2.4 GHz SiGe HBT differential power amplifier (PA) with a novel on-chip variable gain active predistorter (PD) for linearity enhancement. The fully differential active PD provides an open collector adaptive bias control which can effectively enhance the linearity while improve power added efficiency (PAE). The PA with active PD achieves an output 1-dB compression (OP1dB) of 20...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.