Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The increasing difficulties for further scaling down of Si CMOS is bringing to the fore the investigation of alternative channel materials. Among these, III-V compound semiconductors are very attractive due to their outstanding electron transport properties. This paper briefly reviews the prospects and the challenges for a III-V CMOS technology with gate lengths in the 10 nm range.
We have experimentally extracted the virtual-source electron injection velocity, vx0, of various III-V HFETs at room temperature. This is the carrier velocity that matters for logic applications of these transistors. Sub-100 nm devices with ??n > 10,000 cm2/V-s exhibit vx0 in excess of 3 ?? 107 cm/s even at VDD = 0.5 V. This is over 2 times that of state-of-the-art Si devices at VDD > 1. We...
High-performance 130 nm E-mode InAs p-HEMTs is fabricated using the Ne-based ALET and the buried Pt gate technology. Results from the combination of the improved gate-to-channel aspect ratio achieved by the buried Pt gate technology show that performance of the device is remarkable and the improved carrier transport property is achieved using the ALET technology.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.