Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The current–voltage (I–V) characteristics of metal-oxide-semiconductor (MOS) structures with hafnium oxide as the gate dielectric film were studied. Sharp shifts from a low-voltage ohmic regime to a tunneling conduction were observed in the high-voltage range. The paper demonstrates that this behavior can be described very well with a double-layer dielectric model. Excellent fittings of the experimental...
This work deals with some fundamental material properties of the hafnia or hafnium oxide and the silicate layer at the Si/HfO 2 interface. It is realized that one of the fundamental features of the HfO 2 film is that its lowest conduction band states are composed mainly by d states instead of s and p states as is in the case for SiO 2 . There is only a very small covalent component...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.