Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We fabricated normally-off mode n-channel schottky barrier metal oxide semiconductor field effect transistor (SB-MOSFET) with ITO schottky barrier source/drain (S/D) on a highly resistive GaN layer grown on silicon substrate with low temperature AlN and high temperature GaN buffer layers. Fabricated SB-MOSFET exhibited a threshold voltage of 4.2 V, and a maximum transconductance of 2.9 mS/mm at VDS...
We fabricated GaN SB-MOSFET using the ITO source/drain and gate with very high drain current and low threshold voltage. Furthermore, we tried to check the body bias effect of the GaN SB-MOSFET after forming the ohmic contact to the substrate. We could control threshold voltage by body bias that makes the device more useful. It is applicable to many of electric circuit applications such as logic gate,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.