Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We investigate step configurations during homoepitaxial growth on Si(111) near the ''1x1''-7x7 phase transition temperature. The surface mass diffusion constant is larger on ''1x1'' than on 7x7. This difference in the surface mass diffusion constant, coupled with the preferential nucleation of 7x7 at the upper side of the step, causes asymmetry in the surface mass diffusion during the ''1x1''-7x7...
Ge solid phase epitaxy on a Si(111) surface has been directly observed by secondary electron surface microscopy which is based on scanning electron microscopy. Ge island formation initially occurs at steps and out-of-phase boundaries of (7 7) domains. These results confirm the origin of previously reported mesh patterns of Ge islands grown on Si(111).
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.