Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Self‐Driven Near‐Infrared Photodetectors
In article number 2206262, Hao Jin, Longbiao Huang, Zhenhua Sun, and co‐workers report that bulk photovoltaic effect (BPVE) is found in the SnTe film by Si doping though breaking the inversion symmetry. As a result, additional current originated from the BPVE is generated beyond the p‐n junctions, leading to an improvement of photocurrent by 7.5 times.
The upsurge of new materials that can be used for near‐infrared (NIR) photodetectors operated without cooling is crucial. As a novel material with a small bandgap of ≈0.28 eV, the topological crystalline insulator SnTe has attracted considerable attention. Herein, this work demonstrates self‐driven NIR photodetectors based on SnTe/Si and SnTe:Si/Si heterostructures. The SnTe/Si heterostructure has...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.