Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper reports proton damage in LED and phototransistor of the Micropac 66179 optocoupler. Analysis of the test data reveals interesting information, such as the dependence of the transistor gain on irradiation and photocurrent.
Heavy ion, proton and electron single-event effect measurements of 8Gb Samsung single level NAND flash memory are reported. An increase in the heavy ion single bit upset (SBU) cross section was observed on devices that were irradiated with 60Co previously. The proton susceptibility is less than expected. No electron induced upsets were observed.
Proton Displacement Damage (DD) measurements on Isolink OLS049, Micropac 66296-101, 66224-103JANTX, and 66179-003 are reported. The 66179-003 has the worst degradation, 13% of the initial CTR remains when it is used with IF = 10 mA at 1 x 1012 1-MeV n/cm2 fluence in Silicon. The remaining CTR percentage for OLS049, 66296-101, and 66224-103JANTX are 21%, 32%, and 79% at 2 x 1012 1-MeV n/cm2 fluence...
Abstract- Proton Displacement Damage (DD) measurements on Isolink OLH249, Isocom IS49, Isocom CSM141A, Isocom CSM1800 and Avago HCPL-5700 are reported. The OLH249 has the worst degradation, 3% of the initial CTR remains when it is used with IF = 10 mA at 3 x 1012 1-MeV n/cm2 fluence in Silicon. The remaining CTR percentage for IS49, CMS141A, CSM1800 and HCPL-5700 are 28%, 62%, 32%, and 81% at 3 x...
This study examines the single-event response of the Xilinx 20 nm Kintex UltraScale Field-Programmable Gate Array irradiated with heavy ions. Results for single-event latch-up and single-event upset on configuration SRAM cells and Block RAM memories are provided.
This paper reports heavy ion, proton, and laser induced single event effects (SEE) results for a variety of microelectronic devices targeted for possible use in JPL spacecraft. The compendium covers devices tested within the timeframe of August 2012 through February 2015. It is an update to the SEE compendia JPL has historically published.
TID testing results of 4th generation iPad tablet computers are reported. Of iPad subsystems, results indicate that the charging circuitry and display drivers fail at lowest TID levels. Details of construction are investigated for additional testing of components.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.