Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This letter reports high-voltage GaN field-effect transistors fabricated on Si substrates. A halide-based plasma treatment was performed to enable normally off operation. Atomic layer deposition of Al2O3 gate insulator was adopted to reduce the gate leakage current. Incorporation of multiple field plates, with one field plate connected to the gate electrode and two field plates connected to the source...
We report W-band GaN MMIC's that produce 96% more power at a frequency of 88 GHz in continuous wave (CW) operation than the highest power reported in this frequency band for the best competing solid state technology, the InP HEMT. W-band power module containing a single three stage GaN MMIC chip with 600 μm wide output stage produced over 842 mW of output power in CW-mode, with associated PAE of 14...
A selective dry etch technology of GaN over AlGaN using BCl3/SF6 has been applied to passivation-free deep-recessed GaN HEMTs, significantly reducing the effects of growth and process variations on the device performance, improving reproducibility and manufacturability. The effects of Si delta-doping density on the gate leakage, breakdown voltage and dispersion were investigated. Excellent microwave...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.