Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A compact model for small-signal equivalent circuit of DG-MOSFETs is presented. The intrinsic parameters are obtained from DC analytic compact model. This DC model allows determining the mobile charge inside the transistor channel, from which the intrinsic parameters are derived. Additionally, the extrinsic capacitances are calculated and included into the model. This compact small-signal model allows...
In this work we examine the electrical behavior of thin (~10 nm) SiO2/TiO2 gate insulator stacks in MOS capacitors that have undergone multiple hard breakdown events. The post-breakdown current is modeled using a simple equivalent electrical circuit consisting of a diode with series and parallel resistances. We show that the current flowing through the non-damaged oxide area still plays a significant...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.