Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present a comprehensive study of Si0.55Ge0.45-cladded p-channel FinFETs, including a comparison with planar SiGe quantum-well devices. The SiGe-cladded FinFETs exhibit ∼2× higher hole mobility, ∼2× better ION/IOFF, and improved DIBL compared to Si control devices. Superior NBTI reliability over equivalent Si FinFETs is demonstrated for cladding thicknesses down to 3 nm. The dependencies of drive...
The mismatch of trapped electrons and holes is the main mechanism causing reliability degradation for localized charge trapping memory devices. This paper proposes a novel dual-BBHH erasing scheme to alleviate the mismatch effect, therefore improve the endurance and retention performances simultaneously.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.