Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In article number 2003225, Soo Young Kim, Ho Won Jang, and co‐workers successfully fabricate preconditioned resistive switching memory devices using lead‐free dual‐phase halide perovskites. The devices show filamentary resistive switching behavior involving Ag cations in halide perovskites with ultra‐low operating voltages, and high on/off ratio.
Organometallic and all‐inorganic halide perovskites (HPs) have recently emerged as promising candidate materials for resistive switching (RS) nonvolatile memory due to their current–voltage hysteresis caused by fast ion migration. Lead‐free and all‐inorganic HPs have been researched for non‐toxic and environmentally friendly RS memory devices. However, only HP‐based devices with electrochemically...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.