Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We show that boron-diffused emitters can be passivated with AlOx deposited using RF sputtering of an Al target. The surface passivation achieved so far is inferior to that obtained using an optimised PECDV SiN process that includes a chemically grown SiO2 interfacial layer. Nevertheless, the levels of passivation obtained, expressed by emitter recombination current densities of JoE=228-349 fA/cm2...
The extraordinary capacity of plasma-enhanced chemical-vapour-deposited (PECVD) silicon nitride (SiN) to passivate the surface of crystalline silicon wafers and, in the case of multicrystalline silicon, improve the bulk material by hydrogenation has attracted a great deal of research and development. This review summarizes the state of the art of surface passivation by PECVD SiN, together with the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.