Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Through silicon vias (TSVs) have been extensively studied because it is a key enabling technology for achieving three dimensional (3D) chip stacking and silicon interposer interconnection. The large mismatch between the coefficients of thermal expansion (CTE) of copper and silicon induces stress which is critical for the TSV reliability performance. This paper proposes analytical solutions of stress...
The 3D IC integration technology may achieve high performance, better reliability in electronic applications. Since the through silicon via (TSV) provides the key connection in 3D IC integration, the reliability issues of TSV are very important. In the TSV architecture, the electroplating copper is filled in the TSV. As the difference of coefficient of thermal expansion (CTE) between silicon and copper...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.